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IGLT65R110B2AUMA1

IGLT65R110B2AUMA1 Infineon Technologies

infineon-iglt65r110b2-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 14A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4.5A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.36mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.52 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 149 pF @ 400 V
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Technische Details IGLT65R110B2AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.61nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

Weitere Produktangebote IGLT65R110B2AUMA1 nach Preis ab 6.75 EUR bis 16.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGLT65R110B2AUMA1 IGLT65R110B2AUMA1 Infineon Technologies infineon-iglt65r110b2-datasheet-en.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
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IGLT65R110B2AUMA1 IGLT65R110B2AUMA1 INFINEON 4633755.pdf Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.24 EUR
18+13.58 EUR
20+11.14 EUR
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100+9.02 EUR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
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