IGO60R042D1AUMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GAN HV
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details IGO60R042D1AUMA2 Infineon Technologies
Description: GAN HV, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Supplier Device Package: PG-DSO-20-85, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IGO60R042D1AUMA2 | Infineon Technologies |
 MOSFETs HV GAN DISCRETES |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGO60R042D1AUMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HV GAN DISCRETES
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Im Einkaufswagen
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