IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
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Technische Details IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 110W, Case: TO220-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 18A, Collector-emitter voltage: 600V.
Weitere Produktangebote IGP10N60TXKSA1 nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IGP10N60T | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A |
auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGP10N60T |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.45 EUR |
| 10+ | 2.18 EUR |
| 100+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 2500+ | 0.92 EUR |
| 5000+ | 0.88 EUR |