IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGP10N60TXKSA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IGP10N60TXKSA1 nach Preis ab 1.08 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IGP10N60TXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGP10N60TXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
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IGP10N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IGP10N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W |
auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP10N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP10N60TXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGP10N60TXKSA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP10N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGP10N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGP10N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |