IGP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 42A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns, Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 125 W.
Weitere Produktangebote IGP20N65H5XKSA1 nach Preis ab 2 EUR bis 5.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IGP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT 650V 42A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W |
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IGP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IGP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon |
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IGP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IGP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IGP20N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 21A Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 26ns Turn-off time: 169ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IGP20N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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IGP20N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 21A Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 26ns Turn-off time: 169ns |
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