IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 187W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 24+ | 3.03 EUR |
| 40+ | 1.79 EUR |
| 43+ | 1.69 EUR |
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Technische Details IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns, Switching Energy: 1.17mJ, Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 187 W.
Weitere Produktangebote IGP30N60H3XKSA1 nach Preis ab 1.61 EUR bis 4.91 EUR
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IGP30N60H3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3 Kind of package: tube Case: TO220-3 Type of transistor: IGBT Mounting: THT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 187W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGP30N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns Switching Energy: 1.17mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W |
auf Bestellung 732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP30N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP30N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP30N60H3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGP30N60H3XKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGP30N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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