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IGP50N60TXKSA1

IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies

42992611177731696igp_w50n60t_rev2_6g.pdffileiddb3a30432313ff5e0123b856d0d278c6fold.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.

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IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 42992611177731696igp_w50n60t_rev2_6g.pdffileiddb3a30432313ff5e0123b856d0d278c6fold.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
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IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
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IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON IGP_W50N60T_Rev2_6G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b856d0d278c6 Description: INFINEON - IGP50N60TXKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B359F284B34FA8&compId=IGP50N60T-DTE.pdf?ci_sign=2b05383ced2cbae508f7c97aac42cd7ba476fbe1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B359F284B34FA8&compId=IGP50N60T-DTE.pdf?ci_sign=2b05383ced2cbae508f7c97aac42cd7ba476fbe1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
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