IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 100A 333W TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.
Weitere Produktangebote IGP50N60TXKSA1 nach Preis ab 3.27 EUR bis 9.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IGP50N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IGP50N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IGP50N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A |
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IGP50N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IGP50N60TXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGP50N60TXKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP50N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGP50N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IGP50N60TXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGP50N60TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 100A 333W TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W |
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IGP50N60TXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
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