IGT60R042D1ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGT60R042D1ATMA1 Infineon Technologies
Description: GAN HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IGT60R042D1ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
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IGT60R042D1ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs HV GAN DISCRETES |
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