IGT60R042D1ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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Technische Details IGT60R042D1ATMA1 Infineon Technologies
Description: GAN HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V.
Weitere Produktangebote IGT60R042D1ATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IGT60R042D1ATMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs HV GAN DISCRETES |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGT60R042D1ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HV GAN DISCRETES
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Im Einkaufswagen
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