IGT65R055D2XTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 31A
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.7 EUR |
| 23+ | 10.42 EUR |
| 100+ | 8.25 EUR |
| 500+ | 7.63 EUR |
| 1000+ | 6.99 EUR |
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Technische Details IGT65R055D2XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 4.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm.
Weitere Produktangebote IGT65R055D2XTMA1 nach Preis ab 6.99 EUR bis 13.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IGT65R055D2XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.7nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm |
auf Bestellung 1064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGT65R055D2XTMA1 |
Hersteller: INFINEON
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Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 19+ | 13.7 EUR |
| 23+ | 10.42 EUR |
| 100+ | 8.25 EUR |
| 500+ | 7.63 EUR |
| 1000+ | 6.99 EUR |