IGT65R055D2XTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
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Technische Details IGT65R055D2XTMA1 INFINEON
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Weitere Produktangebote IGT65R055D2XTMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IGT65R055D2XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 4.7nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 31A |
auf Bestellung 1064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGT65R055D2XTMA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 31A
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