IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
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Technische Details IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ 3, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 30A, Power dissipation: 217W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube, Manufacturer series: H3.
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IGW15N120H3 | Infineon Technologies |
Description: IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU |
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| IGW15N120H3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU
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