IGW30N100TFKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGW30N100TFKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1000V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns, Switching Energy: 3.8mJ, Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V, Gate Charge: 217 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 412 W.
Weitere Produktangebote IGW30N100TFKSA1 nach Preis ab 4.44 EUR bis 7.08 EUR
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IGW30N100TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IGW30N100TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech |
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IGW30N100TFKSA1 Produktcode: 145089
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IGW30N100TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW30N100TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1000V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns Switching Energy: 3.8mJ Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V Gate Charge: 217 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W |
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