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IGW30N60H3FKSA1

IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies

infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns, Switching Energy: 1.38mJ, Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 187 W.

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IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
21+3.49 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
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IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
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IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies INFNS30182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
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IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS30182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW30N60H3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 694 Stücke:
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IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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