IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns, Switching Energy: 1.38mJ, Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 187 W.
Weitere Produktangebote IGW30N60H3FKSA1 nach Preis ab 2.09 EUR bis 7.12 EUR
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IGW30N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW30N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW30N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns Switching Energy: 1.38mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W |
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IGW30N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW30N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW30N60H3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 187W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
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IGW30N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW30N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW30N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IGW30N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IGW30N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
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