IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW30N65L5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 85A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGW30N65L5XKSA1 nach Preis ab 2.76 EUR bis 7.55 EUR
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IGW30N65L5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW30N65L5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW30N65L5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W |
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IGW30N65L5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 |
auf Bestellung 2093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW30N65L5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW30N65L5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW30N65L5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 85A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW30N65L5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW30N65L5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGW30N65L5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 114W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 168nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 44ns Turn-off time: 359ns Pulsed collector current: 120A Collector current: 62A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGW30N65L5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 114W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 168nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 44ns Turn-off time: 359ns Pulsed collector current: 120A Collector current: 62A |
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