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IGW30N65L5XKSA1

IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-igw30n65l5-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGW30N65L5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 85A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IGW30N65L5XKSA1 nach Preis ab 3.24 EUR bis 10.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n65l5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n65l5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW30N65L5_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
auf Bestellung 2987 Stücke:
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10+4.57 EUR
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IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW30N65L5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd55583ac9 Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1549 Stücke:
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24+10.77 EUR
32+7.28 EUR
100+4.22 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IGW30N65L5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
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25+7.08 EUR
32+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
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IGW30N65L5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGW30N65L5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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24+10.77 EUR
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100+4.22 EUR
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