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IGW40N120H3FKSA1

IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IGW40N120H3-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
auf Bestellung 259 Stücke:
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Technische Details IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns, Switching Energy: 3.16mJ, Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 483 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineonigw40n120h3datasheeten.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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auf Bestellung 240 Stücke:
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240+7.18 EUR
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IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies ds_ig40n120h3_2_1.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.16mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
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2+11.63 EUR
30+6.58 EUR
120+5.47 EUR
510+4.66 EUR
1020+4.37 EUR
2010+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineonigw40n120h3datasheeten.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.57 EUR
31+7.68 EUR
100+5.89 EUR
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16+11.08 EUR
50+9.6 EUR
100+8.82 EUR
200+8.2 EUR
240+7.53 EUR
960+7.04 EUR
1920+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
240+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.16mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
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IGW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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50+9.6 EUR
100+8.82 EUR
200+8.2 EUR
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960+7.04 EUR
1920+6.6 EUR
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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