IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
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Technische Details IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns, Switching Energy: 3.16mJ, Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 483 W.
Weitere Produktangebote IGW40N120H3FKSA1 nach Preis ab 7.81 EUR bis 14.79 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IGW40N120H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGW40N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 3.16mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 483 W |
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| IGW40N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon |
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IGW40N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW40N120H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.4 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 483 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IGW40N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGW40N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IGW40N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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