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IGW50N65F5

IGW50N65F5 Infineon Technologies

Infineon_IGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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Technische Details IGW50N65F5 Infineon Technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 80A, Power dissipation: 270W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube, Manufacturer series: F5, Technology: TRENCHSTOP™ 5.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
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IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
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