IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGW50N65F5FKSA1 nach Preis ab 2.56 EUR bis 15.23 EUR
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W |
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon |
IGBT 650V 80A 305W IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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IGW50N65F5FKSA1 Produktcode: 85495
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGW50N65F5FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 |
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