IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 11.48 EUR |
| 30+ | 6.62 EUR |
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Technische Details IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 416W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IGW60N60H3FKSA1 nach Preis ab 5.72 EUR bis 17.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
Produkt ist nicht verfügbar |