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IGW75N60TFKSA1

IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IGW75N60T-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 55 Stücke:
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Technische Details IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT TRENCH FS 600V 150A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns, Switching Energy: 4.5mJ, Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW75N60T_DataSheet_v02_07_EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
auf Bestellung 200 Stücke:
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10+5.21 EUR
100+4.32 EUR
480+3.94 EUR
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IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n60t-datasheet-v02_07-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.67 EUR
22+8.04 EUR
25+7.81 EUR
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IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Description: IGBT TRENCH FS 600V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.03 EUR
30+5.63 EUR
120+4.65 EUR
510+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n60t-datasheet-v02_07-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.5 EUR
20+8.53 EUR
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100+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon info-tigw75n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Description: INFINEON - IGW75N60TFKSA1 - IGBT, 75 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
Verlustleistung: 428W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.9 EUR
36+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n60t-datasheet-v02_07-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.48 EUR
18+9.69 EUR
50+8.4 EUR
100+7.71 EUR
200+7.16 EUR
960+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
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IGW75N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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25+8.16 EUR
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Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
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IGW75N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGW75N60TFKSA1 - IGBT, 75 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
Verlustleistung: 428W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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IGW75N60TFKSA1 infineon-igw75n60t-datasheet-v02_07-en.pdf
IGW75N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1218 Stücke:
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18+9.69 EUR
50+8.4 EUR
100+7.71 EUR
200+7.16 EUR
960+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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