| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.02 EUR |
| 10+ | 4.96 EUR |
| 100+ | 3.85 EUR |
| 200+ | 3.27 EUR |
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Technische Details IHLP6767GZER8R2M11 Vishay / Dale
Description: VISHAY - IHLP6767GZER8R2M11 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 21 A, Geschirmt, 18 A, IHLP-6767GZ-11 Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 7mm, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Induktivität: 8.2µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 8100µohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 17.15mm x 17.15mm x 7mm, isCanonical: Y, RMS-Strom Irms: 21A, Sättigungsstrom (Isat): 18A, Produktlänge: 17.15mm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Produktpalette: IHLP-6767GZ-11 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Produktbreite: 17.15mm.
Weitere Produktangebote IHLP6767GZER8R2M11
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IHLP6767GZER8R2M11 | Hersteller : Vishay |
 Power Choke Shielded Wirewound 8.2uH 20% 100KHz Powdered Iron 21A 0.0081Ohm DCR 6767 T/R |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHLP6767GZER8R2M11 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IHLP6767GZER8R2M11 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 21 A, Geschirmt, 18 A, IHLP-6767GZ-11 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 7mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 8.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 8100µohm Bauform - Leistungsinduktivität: 17.15mm x 17.15mm x 7mm isCanonical: Y RMS-Strom Irms: 21A Sättigungsstrom (Isat): 18A Produktlänge: 17.15mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Produktpalette: IHLP-6767GZ-11 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 17.15mm |
auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |