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IHLP6767GZER8R2M11 Vishay / Dale


ihlp-6767gz-11.pdf
Hersteller: Vishay / Dale
Power Inductors - SMD 8.2uH 20% 500KHz
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Technische Details IHLP6767GZER8R2M11 Vishay / Dale

Description: VISHAY - IHLP6767GZER8R2M11 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 21 A, Geschirmt, 18 A, IHLP-6767GZ-11 Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 7mm, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Induktivität: 8.2µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 8100µohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 17.15mm x 17.15mm x 7mm, isCanonical: Y, RMS-Strom Irms: 21A, Sättigungsstrom (Isat): 18A, Produktlänge: 17.15mm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Produktpalette: IHLP-6767GZ-11 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Produktbreite: 17.15mm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IHLP6767GZER8R2M11 IHLP6767GZER8R2M11 VISHAY VISH-S-A0025625136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IHLP6767GZER8R2M11 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 21 A, Geschirmt, 18 A, IHLP-6767GZ-11 Series
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Produkthöhe: 7mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 8.2µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 8100µohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 17.15mm x 17.15mm x 7mm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 21A
Sättigungsstrom (Isat): 18A
Produktlänge: 17.15mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLP-6767GZ-11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 17.15mm
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IHLP6767GZER8R2M11 IHLP6767GZER8R2M11 Vishay ihlp6767gz11.pdf Power Choke Shielded Wirewound 8.2uH 20% 100KHz Powdered Iron 21A 0.0081Ohm DCR 6767 T/R
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IHLP6767GZER8R2M11 IHLP6767GZER8R2M11 VISHAY VISH-S-A0025625136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IHLP6767GZER8R2M11 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 21 A, Geschirmt, 18 A, IHLP-6767GZ-11 Series
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Produkthöhe: 7mm
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Induktivität: 8.2µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 8100µohm
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RMS-Strom Irms: 21A
Sättigungsstrom (Isat): 18A
Produktlänge: 17.15mm
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Produktpalette: IHLP-6767GZ-11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 17.15mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP6767GZER8R2M11 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 21 A, Geschirmt, 18 A, IHLP-6767GZ-11 Series
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DC-Widerstand, max.: 8100µohm
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RMS-Strom Irms: 21A
Sättigungsstrom (Isat): 18A
Produktlänge: 17.15mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLP-6767GZ-11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 17.15mm
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Hersteller: Vishay
Power Choke Shielded Wirewound 8.2uH 20% 100KHz Powdered Iron 21A 0.0081Ohm DCR 6767 T/R
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP6767GZER8R2M11 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 21 A, Geschirmt, 18 A, IHLP-6767GZ-11 Series
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Produkthöhe: 7mm
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DC-Widerstand, max.: 8100µohm
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RMS-Strom Irms: 21A
Sättigungsstrom (Isat): 18A
Produktlänge: 17.15mm
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Produktpalette: IHLP-6767GZ-11 Series
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Produktbreite: 17.15mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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