| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.1 EUR |
| 10+ | 4.4 EUR |
| 100+ | 3.36 EUR |
| 480+ | 2.78 EUR |
| 1200+ | 2.64 EUR |
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Technische Details IHW20N120R5 Infineon Technologies
Description: IHW20N120 - DISCRETE IGBT WITH A, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/260ns, Switching Energy: -, 750µJ (off), Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 288 W.
Weitere Produktangebote IHW20N120R5 nach Preis ab 6.05 EUR bis 7.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IHW20N120R5 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IHW20N120R5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 40A; 288W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 288W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Gate charge: 170nC Turn-off time: 260ns |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IHW20N120R5 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 7.21 EUR |
| 26+ | 6.79 EUR |
| 50+ | 6.4 EUR |
| 100+ | 6.05 EUR |
| IHW20N120R5 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 40A; 288W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 288W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Turn-off time: 260ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 40A; 288W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 288W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Turn-off time: 260ns
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