IHW20N140R5LXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IHW20N140R5LXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW20N140R5LXKSA1 - IGBT, 40 A, 1.7 V, 211 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IHW20N140R5LXKSA1 nach Preis ab 1.35 EUR bis 5.97 EUR
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IHW20N140R5LXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.4kV; 38A; 106W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.4kV Collector current: 38A Power dissipation: 106W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 1400 V, 20 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1400V 40A TO247-44 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-44 Td (on/off) @ 25°C: -/150ns Switching Energy: -, 70µJ (off) Test Condition: 25V, 20A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 211 W |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW20N140R5LXKSA1 - IGBT, 40 A, 1.7 V, 211 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1400V 40A 211W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IHW20N140R5LXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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