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IHW25N120E1XKSA1

IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies

9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies 9infineon-ihw25n120e1-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625696ed760156a2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW25N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 75A
Turn-off time: 2004ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
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IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW25N120E1_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
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10+4.08 EUR
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480+2.62 EUR
1200+2.24 EUR
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IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON INFN-S-A0002490563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
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IHW25N120E1XKSA1 INFN-S-A0002490563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW25N120E1XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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