IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IHW30N120R5XKSA1 nach Preis ab 2.92 EUR bis 8.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IHW30N120R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IHW30N120R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
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IHW30N120R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IHW30N120R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IHW30N120R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IHW30N120R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IHW30N120R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Turn-off time: 363ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IHW30N120R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/330ns Switching Energy: 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 330 W |
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IHW30N120R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Turn-off time: 363ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
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