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IHW30N120R5XKSA1

IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ihw30n120r5-ds-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/330ns, Switching Energy: 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 235 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 330 W.

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IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ihw30n120r5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC84639C915820&compId=IHW30N120R5.pdf?ci_sign=89c6f0bb98f687ad7406821198f0deac2a7ce69f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 363ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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25+2.86 EUR
30+2.57 EUR
120+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 363ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
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IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ihw30n120r5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IHW30N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
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IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IHW30N120R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0f4ba9630ec Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/330ns
Switching Energy: 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
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IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Hersteller : INFINEON 2718664.pdf Description: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ihw30n120r5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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