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IHW40N60RFKSA1

IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies

IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
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Technische Details IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: -/193ns, Switching Energy: 750µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V, Gate Charge: 223 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 305 W.

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IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1057ihw40n60r_2_4.pdffileiddb3a304316f66ee80117545f8f30066ffolderiddb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon__DS_v02_06_EN-3161790.pdf IGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
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IHW40N60RFKSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IHW40N60RFKSA1 - IHW40N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
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Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
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IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCBDE92FDCF820&compId=IHW40N60RF.pdf?ci_sign=82767ed05928b8e96282a1f045c5bab220a23d94 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
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