| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.21 EUR |
| 10+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| 2000+ | 1.68 EUR |
| 5000+ | 1.64 EUR |
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Technische Details IKB10N60T Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, Betriebstemperatur, max.: 175, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IKB10N60T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IKB10N60T | INF | TO-263 |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKB10N60T |
Hersteller: INF
TO-263
TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)