Produkte > INF > IKB10N60T

IKB10N60T INF

Hersteller: INF
TO-263

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Technische Details IKB10N60T INF

Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, Betriebstemperatur, max.: 175, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IKB10N60T

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IKB10N60T	INFINEON	Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB10N60T

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH