IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 2.55 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 105W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 30A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A.
Weitere Produktangebote IKB15N65EH5ATMA1 nach Preis ab 2.16 EUR bis 4.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W |
auf Bestellung 916 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A |
auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A |
auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 18A Power dissipation: 52.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 33ns Turn-off time: 172ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 18A Power dissipation: 52.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 33ns Turn-off time: 172ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |