IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 1.72 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 105W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 30A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IKB15N65EH5ATMA1 nach Preis ab 1.73 EUR bis 5.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W |
auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
auf Bestellung 1246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
IKB15N65EH5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 52.5W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 33ns Turn-off time: 172ns Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A |
Produkt ist nicht verfügbar |