IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 378+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 2500+ | 0.31 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 51.7W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 11.7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 11.7A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IKD06N60RC2ATMA1 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 31 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 51.7 W |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
auf Bestellung 1849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
auf Bestellung 2125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 31 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 51.7 W |
auf Bestellung 4091 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
auf Bestellung 3945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD06N60RC2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 51.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 11.7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 51.7W euEccn: NLR Verlustleistung: 51.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 11.7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 11.7A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005349953 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
|
|
IKD06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |