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IKD06N60RC2ATMA1

IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies

infineonikd06n60rc2datasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
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Technische Details IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 51.7W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 11.7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 11.7A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies infineonikd06n60rc2datasheetv0201en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
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IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652234ae34d20 Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
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IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
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IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON 3180285.pdf Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON 3180285.pdf Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
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IKD06N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
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IKD06N60RC2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
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productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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