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IKFW75N65ES5XKSA1

IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKFW75N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972e4191f00 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
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Technische Details IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 71 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns, Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 144 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 148 W.

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IKFW75N65ES5XKSA1 IKFW75N65ES5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKFW75N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362028.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
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IKFW75N65ES5XKSA1 IKFW75N65ES5XKSA1 Hersteller : INFINEON 3177191.pdf Description: INFINEON - IKFW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.35Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 148
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: HSIP247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IKFW75N65ES5XKSA1 IKFW75N65ES5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKFW75N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972e4191f00 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
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