IKN06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 8A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 8.8ns/174ns
Switching Energy: 151µJ (on), 104µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 7.2 W
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Technische Details IKN06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKN06N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 7.2 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 7.2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IKN06N60RC2ATMA1 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IKN06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 8A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Td (on/off) @ 25°C: 8.8ns/174ns Switching Energy: 151µJ (on), 104µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 31 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 7.2 W |
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IKN06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
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IKN06N60RC2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKN06N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 7.2 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKN06N60RC2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKN06N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 7.2 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 7.2W euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKN06N60RC2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005349951 |
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