IKP20N60H3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKP20N60H3XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 40A 170W TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 112 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns, Switching Energy: 690µJ, Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 170 W.
Weitere Produktangebote IKP20N60H3XKSA1 nach Preis ab 6 EUR bis 6 EUR
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IKP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IKP20N60H3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKP20N60H3XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOPT Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IKP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IKP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IKP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IKP20N60H3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 40A 170W TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
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| IKP20N60H3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
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IKP20N60H3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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