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IKP20N60H3XKSA1

IKP20N60H3XKSA1 Infineon Technologies

8583ikp20n60h3_2_2.pdffolderiddb3a30431c69a49d011c6f86019b00a1fileidd.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IKP20N60H3XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 112 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns, Switching Energy: 690µJ, Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 170 W.

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IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 8583ikp20n60h3_2_2.pdffolderiddb3a30431c69a49d011c6f86019b00a1fileidd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 Hersteller : INFINEON IKP20N60H3_rev1.1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432b16d655012b199c4f6a2d17 Description: INFINEON - IKP20N60H3XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOPT
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 8583ikp20n60h3_2_2.pdffolderiddb3a30431c69a49d011c6f86019b00a1fileidd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF6E42879FE51BF&compId=IKP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=81822baaae1c458e541be05689ce6b6972ffcdff Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IKP20N60H3_rev1.1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432b16d655012b199c4f6a2d17 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
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IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF6E42879FE51BF&compId=IKP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=81822baaae1c458e541be05689ce6b6972ffcdff Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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