IKP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns, Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 125 W.
Weitere Produktangebote IKP20N65F5XKSA1 nach Preis ab 2.37 EUR bis 5.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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IKP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W |
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IKP20N65F5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKP20N65F5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.6 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IKP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IKP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKP20N65F5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 21A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IKP20N65F5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
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IKP20N65F5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 21A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 200ns |
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