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IKP20N65H5XKSA1

IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikp20n65h5-ds-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 52 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns, Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 125 W.

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IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikp20n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
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IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikp20n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKP20N65H5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461464245d30146a500cc446cf4 Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns
Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
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IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikp20n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS30190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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