IKP39N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IKP39N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 84 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 39A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/120ns, Switching Energy: 800µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 39A, 12.8Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 62 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 188 W.
Weitere Produktangebote IKP39N65ES5XKSA1 nach Preis ab 2.67 EUR bis 6.54 EUR
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IKP39N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IKP39N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IKP39N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 84 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 39A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/120ns Switching Energy: 800µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 39A, 12.8Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W |
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IKP39N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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IKP39N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IKP39N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IKP39N65ES5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKP39N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.45 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A |
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IKP39N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IKP39N65ES5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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