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IKP39N65ES5XKSA1

IKP39N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

infineonikp39n65es5datasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details IKP39N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 84 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 39A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/120ns, Switching Energy: 800µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 39A, 12.8Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 62 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 188 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKP39N65ES5XKSA1 IKP39N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineonikp39n65es5datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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IKP39N65ES5XKSA1 IKP39N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKP39N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697b7740f4442c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39A; 94W; TO220-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 94W
Gate charge: 70nC
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
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IKP39N65ES5XKSA1 IKP39N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineonikp39n65es5datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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IKP39N65ES5XKSA1 IKP39N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKP39N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697b7740f4442c Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/120ns
Switching Energy: 800µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 39A, 12.8Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
auf Bestellung 481 Stücke:
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IKP39N65ES5XKSA1 IKP39N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP39N65ES5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
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IKP39N65ES5XKSA1 IKP39N65ES5XKSA1 INFINEON 2792923.pdf Description: INFINEON - IKP39N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.45 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 62A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 424 Stücke:
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IKP39N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39A; 94W; TO220-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 94W
Gate charge: 70nC
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
auf Bestellung 50 Stücke:
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auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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50+3.94 EUR
100+2.94 EUR
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IKP39N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/120ns
Switching Energy: 800µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 39A, 12.8Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
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IKP39N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
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10+3.88 EUR
100+2.95 EUR
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Description: INFINEON - IKP39N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.45 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 62A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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