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IKP40N65F5XKSA1

IKP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies

5344518085860906dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8d59de15defileiddb3a30433af5291.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IKP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns, Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 255 W.

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IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 5344518085860906dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8d59de15defileiddb3a30433af5291.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 5344518085860906dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8d59de15defileiddb3a30433af5291.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKW40N65F5_DS_v01_02_EN-1226869.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
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IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies DS_IKP_IKW40N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013afa60c5395f31 Description: IGBT 650V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
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IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 5344518085860906dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8d59de15defileiddb3a30433af5291.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000193372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4A7B8FBEA51CC&compId=IKP40N65F5-DTE.pdf?ci_sign=445701938249e516efd9fc137d2072b8601a1d3d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4A7B8FBEA51CC&compId=IKP40N65F5-DTE.pdf?ci_sign=445701938249e516efd9fc137d2072b8601a1d3d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
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