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IKQ120N120CS7XKSA1

IKQ120N120CS7XKSA1 Infineon Technologies


Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 216A TO247
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 205 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 710 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 216 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 1004 W
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/205ns
Switching Energy: 10.3mJ (on), 5.72mJ (off)
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Technische Details IKQ120N120CS7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 216A TO247, Packaging: Tube, Part Status: Active, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 205 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, IGBT Type: Trench Field Stop, Gate Charge: 710 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 216 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 1004 W, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/205ns, Switching Energy: 10.3mJ (on), 5.72mJ (off).

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IKQ120N120CS7XKSA1 IKQ120N120CS7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKQ120N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3107415.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
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