IKQ120N60T Infineon technologies



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Technische Details IKQ120N60T Infineon technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 833W, Case: PG-TO247-3-46, Mounting: THT, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 703nC, Turn-on time: 76ns, Turn-off time: 343ns, Collector current: 120A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 480A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKQ120N60T Infineon Technologies Infineon INDUSTRY 14
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IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
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Hersteller: Infineon Technologies
Infineon INDUSTRY 14
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Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
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Pulsed collector current: 480A
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