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IKQ150N65EH7XKSA1

IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/341ns
Switching Energy: 5.8mJ (on), 5.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 301 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 621 W
auf Bestellung 65 Stücke:
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Technische Details IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 84 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/341ns, Switching Energy: 5.8mJ (on), 5.4mJ (off), Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 301 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 621 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ150N65EH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 348 Stücke:
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1+17.28 EUR
10+12.5 EUR
100+10.42 EUR
480+9.28 EUR
1200+8.68 EUR
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IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 INFINEON 3983230.pdf Description: INFINEON - IKQ150N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 621 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 621W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon_IKQ150N65EH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IKQ150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+17.28 EUR
10+12.5 EUR
100+10.42 EUR
480+9.28 EUR
1200+8.68 EUR
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IKQ150N65EH7XKSA1 3983230.pdf
IKQ150N65EH7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ150N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 621 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 621W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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