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IKQ75N120CS6XKSA1

IKQ75N120CS6XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikq75n120cs6-ds-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKQ75N120CS6XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 440 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/300ns, Switching Energy: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 530 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 880 W.

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IKQ75N120CS6XKSA1 IKQ75N120CS6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikq75n120cs6-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKQ75N120CS6XKSA1 IKQ75N120CS6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B09007A649B8BF&compId=IKQ75N120CS6XKSA1.pdf?ci_sign=da4429176011a05079a0b9331dca0f7487332609 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 440W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 530nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: PG-TO247-3-46
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 440W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 530nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: PG-TO247-3-46
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
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Pulsed collector current: 300A
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IKQ75N120CS6XKSA1 IKQ75N120CS6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikq75n120cs6-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKQ75N120CS6XKSA1 IKQ75N120CS6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKQ75N120CS6_DS_v02_02_EN-3362029.pdf IGBTs INDUSTRY 14
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IKQ75N120CS6XKSA1 IKQ75N120CS6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKQ75N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638802035216c6 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 440 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/300ns
Switching Energy: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 530 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 880 W
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IKQ75N120CS6XKSA1 IKQ75N120CS6XKSA1 Hersteller : INFINEON 2718744.pdf Description: INFINEON - IKQ75N120CS6XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.85 V, 880 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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