IKQ75N120CT2XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKQ75N120CT2XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/328ns, Switching Energy: 6.7mJ (on), 4.1mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 938 W.
Weitere Produktangebote IKQ75N120CT2XKSA1 nach Preis ab 16.08 EUR bis 32.47 EUR
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/328ns Switching Energy: 6.7mJ (on), 4.1mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 938 W |
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKQ75N120CT2XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 938W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 237W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 237W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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