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IKW08N120CS7XKSA1

IKW08N120CS7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IKW08N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449001.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
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Technische Details IKW08N120CS7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INDUSTRY 14 PG-TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 130 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns, Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 52 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 21 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 106 W.

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IKW08N120CS7XKSA1 IKW08N120CS7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9 Description: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
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IKW08N120CS7XKSA1 IKW08N120CS7XKSA1 Hersteller : INFINEON 3437281.pdf Description: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
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IKW08N120CS7XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 52nC
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKW08N120CS7XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 52nC
Technology: TRENCHSTOP™
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