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IKW15N120BH6XKSA1

Infineon-IKW15N120BH6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801d11316bd
Produktcode: 174089
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies infineonikw15n120bh6datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+2.77 EUR
480+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies infineonikw15n120bh6datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+2.77 EUR
480+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw15n120bh6_datasheet_en.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.66 EUR
10+4.27 EUR
100+2.53 EUR
480+2.31 EUR
1200+2.23 EUR
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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON 2853076.pdf Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.9 EUR
36+6.62 EUR
100+2.83 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IKW15N120BH6XKSA1 infineonikw15n120bh6datasheetv0201en.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 877 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1121 Stücke:
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100+2.83 EUR
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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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