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IKW15N120BH6XKSA1

IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies

infineonikw15n120bh6datasheetv0201en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 340 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns, Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 92 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 200 W.

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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw15n120bh6datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Hersteller : INFINEON 2853076.pdf Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IKW15N120BH6XKSA1
Produktcode: 174089
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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw15n120bh6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKW15N120BH6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801d11316bd Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns
Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
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IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
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