IKW15N120H3FKSA1 Infineon
Hersteller: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
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Technische Details IKW15N120H3FKSA1 Infineon
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 260 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns, Switching Energy: 1.55mJ, Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V, Gate Charge: 75 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 217 W.
Weitere Produktangebote IKW15N120H3FKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IKW15N120H3FKSA1 | Infineon |
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3 IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 Транзистори |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 260 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
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IKW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 217W Gate charge: 75nC Technology: TRENCHSTOP™ 3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 60A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 |
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| IKW15N120H3FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| IKW15N120H3FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| IKW15N120H3FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| IKW15N120H3FKSA1 |
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Hersteller: Infineon
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3 IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 Транзистори
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
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| IKW15N120H3FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 217W
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 217W
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
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