IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 7.53 EUR |
| 10+ | 6.02 EUR |
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| 480+ | 4.33 EUR |
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Technische Details IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 250 W.
Weitere Produktangebote IKW25N120CS7XKSA1 nach Preis ab 3.13 EUR bis 9.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 250 W |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005419560 |
auf Bestellung 1877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 38ns Gate charge: 150nC Turn-off time: 490ns Collector current: 37A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 125W Collector-emitter voltage: 600V Technology: TRENCHSTOP™ Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IKW25N120CS7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 38ns Gate charge: 150nC Turn-off time: 490ns Collector current: 37A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 125W Collector-emitter voltage: 600V Technology: TRENCHSTOP™ Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 |
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