IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns, Switching Energy: 2.9mJ, Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 349 W.
Weitere Produktangebote IKW25N120T2FKSA1 nach Preis ab 5.13 EUR bis 15.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 349W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 349W |
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IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns Switching Energy: 2.9mJ Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W |
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IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon |
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IKW25N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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