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IKW25N120T2FKSA1

IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies

infineonikw25n120t2datasheetv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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60+2.92 EUR
62+2.77 EUR
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Technische Details IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns, Switching Energy: 2.9mJ, Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 349 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.27 EUR
14+6.16 EUR
20+5.5 EUR
30+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.92 EUR
30+7.39 EUR
120+6.18 EUR
510+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon info-tikw25n120t2.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON INFN-S-A0002470594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.02 EUR
26+9.04 EUR
100+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies infineonikw25n120t2datasheetv0202en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 183 Stücke:
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IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+7.27 EUR
14+6.16 EUR
20+5.5 EUR
30+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+12.92 EUR
30+7.39 EUR
120+6.18 EUR
510+5.28 EUR
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IKW25N120T2FKSA1 info-tikw25n120t2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+14.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 INFN-S-A0002470594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.02 EUR
26+9.04 EUR
100+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IKW25N120T2FKSA1 infineonikw25n120t2datasheetv0202en.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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