IKW25T120


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Produktcode: 175269
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details IKW25T120

  • IGBT, N, 1200V, 25A, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • DC Collector Current:50A
  • Max Voltage Vce Sat:2.2V
  • Max Power Dissipation:190W
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Operating Temperature Range:-40`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Case Style:TO-247
  • Max Current Ic Continuous a:25A
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:190W
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1200V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IKW25T120 IKW25T120 Hersteller : Infineon Technologies INFNS27302-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
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IKW25T120 IKW25T120 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKW25T120_DataSheet_v02_03_EN-3361719.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
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