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IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies

Name: IKW25T120FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 11801178-5
Price: 144.96 EUR
Availability: InStock

infineon-ikw25t120-datasheet-v02_03-en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Technische Details IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 4.2mJ, Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.

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IKW25T120FKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IKW25T120_DataSheet_v02_03_EN-3361719.pdf

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

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IKW25T120FKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW25T120FKSA1

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IKW25T120FKSA1

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IKW25T120FKSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
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IKW25T120FKSA1

Hersteller : INFINEON

INFNS27302-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IKW25T120FKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW25T120FKSA1

Hersteller : Infineon

IKW25T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42899373e31

1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW25T120FKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
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Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
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