
IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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32+ | 4.53 EUR |
33+ | 4.01 EUR |
50+ | 3.55 EUR |
100+ | 3.28 EUR |
250+ | 3.18 EUR |
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Technische Details IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 4.2mJ, Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.
Weitere Produktangebote IKW25T120FKSA1 nach Preis ab 3.90 EUR bis 14.40 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 155nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 75A Type of transistor: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 155nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 75A Type of transistor: IGBT |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 4.2mJ Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W |
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