IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies
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| 35+ | 4.18 EUR |
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Technische Details IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 4.2mJ, Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.
Weitere Produktangebote IKW25T120FKSA1 nach Preis ab 4.18 EUR bis 12.61 EUR
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A |
auf Bestellung 2014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25T120FKSA1 | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon |
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 4.2mJ Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W |
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