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IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Name: IKW30N60H3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 271760-5
Price: 149.41 EUR
Availability: InStock

infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Technische Details IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 38 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns, Switching Energy: 1.38mJ, Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 187 W.

Weitere Produktangebote IKW30N60H3FKSA1 nach Preis ab 1.89 EUR bis 7.11 EUR

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IKW30N60H3FKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N60H3FKSA1

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IKW30N60H3FKSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
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IGBTs 600V 30A 187W

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IKW30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc80c5f041c9

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W

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3+	7.11 EUR
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N60H3FKSA1

Hersteller : INFINEON

INFNS29923-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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