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IKW30N65EL5XKSA1

IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 85A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns, Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 227 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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50+4.37 EUR
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IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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500+4.55 EUR
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IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector current: 62A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 225 Stücke:
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14+6.34 EUR
16+5.55 EUR
20+4.28 EUR
22+3.88 EUR
30+3.65 EUR
60+3.32 EUR
120+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N65EL5_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.37 EUR
10+6.28 EUR
100+5.07 EUR
480+4.24 EUR
1200+3.67 EUR
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IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW30N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd5d3c3acb Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
auf Bestellung 4 Stücke:
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3+9.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0000225451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.7 EUR
39+6.08 EUR
100+4.22 EUR
500+4.01 EUR
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IKW30N65EL5XKSA1 infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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AnzahlPrivatkunde
37+4.76 EUR
50+4.37 EUR
100+3.74 EUR
200+3.43 EUR
960+3.07 EUR
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IKW30N65EL5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector current: 62A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
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14+6.34 EUR
16+5.55 EUR
20+4.28 EUR
22+3.88 EUR
30+3.65 EUR
60+3.32 EUR
120+3.12 EUR
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IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
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1+9.37 EUR
10+6.28 EUR
100+5.07 EUR
480+4.24 EUR
1200+3.67 EUR
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IKW30N65EL5XKSA1 Infineon-IKW30N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd5d3c3acb
IKW30N65EL5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
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3+9.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IKW30N65EL5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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AnzahlPrivatkunde
24+10.7 EUR
39+6.08 EUR
100+4.22 EUR
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