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IKW40N120CS6XKSA1

IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ikw40n120cs6-datasheet-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns, Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 285 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.

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IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw40n120cs6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 161 Stücke:
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2+11.58 EUR
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IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw40n120cs6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1808 Stücke:
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IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Hersteller : INFINEON 2718745.pdf Description: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 249 Stücke:
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Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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Anzahl Preis
2+14.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IKW40N120CS6XKSA1
Produktcode: 193315
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