IKW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 124 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns, Switching Energy: 1.68mJ, Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V, Gate Charge: 223 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 306 W.
Weitere Produktangebote IKW40N60H3FKSA1 nach Preis ab 3.40 EUR bis 8.87 EUR
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IKW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 124 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns Switching Energy: 1.68mJ Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V Gate Charge: 223 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 306 W |
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IKW40N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IKW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3 |
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IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A Produktcode: 160842
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V |
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IKW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW40N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 153W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 223nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 218ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW40N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
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IKW40N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 153W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 223nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 218ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
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